Hersteller

SI 9945 BDY

Vishay SMD MOSFETs der Serie Si

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im SO8-Gehäuse
  • Vishay Siliconix®
  • gegurtet

SI 9945 BDY

39497 SI 9945 BDY SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Vishay SMD MOSFETs der Serie Si. SMD-Leistungs-MOSFETs im SO8-Gehäuse Vishay Siliconix® gegurtet

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung SI9945BDY-T1-GE3
Gehäuse SO8
Max. Drain-Source-Spannung [V] 60
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,058
Einschaltverzögerungszeit [ns] 10
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 5,3
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 1
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 20
Datenblatt

Stückpreis

0,432 €

Lagerbestand: 16650

Mindestbestellmenge
50 Stück bzw. ein Vielfaches von 50.