Hersteller

SI 4174 DY

Vishay SMD MOSFETs der Serie Si

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im SO8-Gehäuse
  • Vishay Siliconix®
  • gegurtet

SI 4174 DY

107507 SI 4174 DY SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Vishay SMD MOSFETs der Serie Si. SMD-Leistungs-MOSFETs im SO8-Gehäuse Vishay Siliconix® gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung SI4174DY-T1-GE3
Gehäuse SO8
Ausführung gegurtet
Max. Drain-Source-Spannung [V] 30
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,0095
Einschaltverzögerungszeit [ns] 8
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 17
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 1
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 16
Datenblatt

Stückpreis

0,363 €

Lagerbestand: 2700
Weitere Lieferung:
KW 13/2025

Mindestbestellmenge
50 Stück bzw. ein Vielfaches von 50.