Hersteller

SI 4100 DY

Vishay SMD MOSFETs der Serie Si

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im SO8-Gehäuse
  • Vishay Siliconix®
  • gegurtet

SI 4100 DY

107501 SI 4100 DY SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay SMD MOSFETs der Serie Si. SMD-Leistungs-MOSFETs im SO8-Gehäuse Vishay Siliconix® gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung SI4100DY-T1-GE3
Gehäuse SO8
Ausführung gegurtet
Max. Drain-Source-Spannung [V] 100
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,063
Einschaltverzögerungszeit [ns] 10
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 6,8
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 15
Datenblatt

Stückpreis

0,482 €

Lagerbestand: 2450
Weitere Lieferung:
KW 51/2025

Mindestbestellmenge
50 Stück bzw. ein Vielfaches von 50.