Hersteller

IRF 610

Vishay MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • Vishay Siliconix®

IRF 610

20167 IRF 610 IRF610PBF IRF610PBF Vishay MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse Vishay Siliconix®

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF610PBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 200
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 1,5
Einschaltverzögerungszeit [ns] 8,2
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 3,3
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 14
Datenblatt

Stückpreis

0,281 €

Lagerbestand: 801
Weitere Lieferung:
KW 11/2025

Mindestbestellmenge
1 Stück bzw. ein Vielfaches von 25 plus 0 bis 1 .