Hersteller

IRF 520

Vishay MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • Vishay Siliconix®

IRF 520

20152 IRF 520 IRF520PBF IRF520PBF Vishay MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse Vishay Siliconix®

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF520PBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 100
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,27
Einschaltverzögerungszeit [ns] 8,8
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 9,2
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 19
Datenblatt

Stückpreis

0,41 €

Lagerbestand: 630
Weitere Lieferung:
KW 41/2025

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.