Hersteller

TSM150NB04DCR

Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im PDFN56-Gehäuse
  • TSC

TSM150NB04DCR

237407 TSM150NB04DCR TSM150NB04DCR RLG TSM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM. SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56-Gehäuse TSC

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSM150NB04DCR RLG
Gehäuse PDFN56
Verlustleistung [W] 40
Max. Drain-Source-Spannung [V] 40
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,015
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 38
Einschaltverzögerungszeit [ns] 6
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 12
Datenblatt

Stückpreis

0,48 €

Lagerbestand: 2450
Weitere Lieferung:
KW 20/2025

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.