Keine Artikel
Hersteller | Taiwan Semiconductor |
Herstellerbezeichnung | TSM089N08LCR RLG |
Gehäuse | PDFN56 |
Verlustleistung [W] | 83 |
Max. Drain-Source-Spannung [V] | 80 |
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 0,009 |
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 67 |
Einschaltverzögerungszeit [ns] | 8 |
Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 1 |
Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 45 |