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Hersteller | Taiwan Semiconductor |
Herstellerbezeichnung | TSM850N06CX RFG |
Gehäuse | SOT23 |
Ausführung | gegurtet |
Max. Drain-Source-Spannung [V] | 60 |
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 0,085 |
Einschaltverzögerungszeit [ns] | 2,9 |
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 6,1 |
Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 1,2 |
Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 18,4 |