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Hersteller | Taiwan Semiconductor |
Herstellerbezeichnung | TSM650P02CX RFG |
Gehäuse | SOT23 |
Ausführung | gegurtet |
Max. Drain-Source-Spannung [V] | 20 |
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 0,065 |
Einschaltverzögerungszeit [ns] | 5 |
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 4,1 |
Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 0,4 |
Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 40,7 |