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Hersteller | Taiwan Semiconductor |
Herstellerbezeichnung | TESD5V0L1UC RJG |
Gehäuse | DFN1006L |
Sperrstrom [µA] | 0,1 |
Durchbruchspannung [V] | 6,0 |
Impuls-Sperrstrom [A] | 3 |
Max. Begrenzer-Spannung [V] | 15 |
Sperrspannung [V] | 5,0 |
ESD Spannung [kV] | 15 |