Hersteller

STW 11 NM 80

STMicroelectronics MOSFETs der Serie STW

  • STM Leistungs-MOSFETs
  • im TO247-Gehäuse
  • PowerMESH™ / MDmesh™ / FDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™

STW 11 NM 80

38396 STW 11 NM 80 STW11NM80 STW11NM80 STMicroelectronics MOSFETs der Serie STW. STM Leistungs-MOSFETs im TO247-Gehäuse PowerMESH™ / MDmesh™ / FDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STW11NM80
Gehäuse TO247
Max. Drain-Source-Spannung [V] 800
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,4
Einschaltverzögerungszeit [ns] 22
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 11
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 46
Datenblatt

Stückpreis

2,49 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 45/2025

Mindestbestellmenge
300 Stück bzw. ein Vielfaches von 300.