Hersteller

STW 4 N 150

STMicroelectronics MOSFETs der Serie STW

  • STM Leistungs-MOSFETs
  • im TO247-Gehäuse
  • PowerMESH™ / MDmesh™ / FDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™

STW 4 N 150

107346 STW 4 N 150 STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics MOSFETs der Serie STW. STM Leistungs-MOSFETs im TO247-Gehäuse PowerMESH™ / MDmesh™ / FDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STW4N150
Gehäuse TO247
Max. Drain-Source-Spannung [V] 1500
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 7
Einschaltverzögerungszeit [ns] 35
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 4
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 45
Datenblatt

Stückpreis

5,19 €

Lagerbestand: 500
Weitere Lieferung:
KW 38/2026

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.