Hersteller

STGW 60 H 65 DRF

STMicroelectronics IGBTs der Serie STGW

  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)
  • im TO247-Gehäuse
  • PowerMESH™

STGW 60 H 65 DRF

106989 STGW 60 H 65 DRF STGW60H65DRF STGW60H65DRF STMicroelectronics IGBTs der Serie STGW. Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) im TO247-Gehäuse PowerMESH™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STGW60H65DRF
Gehäuse TO247
Verlustleistung [W] 420
Einschaltverzögerungszeit [ns] 85
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 650
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 240
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 178
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 120
Datenblatt

Stückpreis

3,19 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 33/2025

Mindestbestellmenge
600 Stück bzw. ein Vielfaches von 600.