Hersteller

STGW 40 V 60 DF

Infineon IGBTs der Serien STGF und STGP

  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
  • im TO220-Gehäuse
  • PowerMESH™

STGW 40 V 60 DF

106987 STGW 40 V 60 DF STGW40V60DF STGW40V60DF Infineon IGBTs der Serien STGF und STGP. Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode im TO220-Gehäuse PowerMESH™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STGW40V60DF
Gehäuse TO247
Verlustleistung [W] 283
Einschaltverzögerungszeit [ns] 52
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 600
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 160
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 208
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 80
Datenblatt

Stückpreis

2,59 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 28/2025

Mindestbestellmenge
600 Stück bzw. ein Vielfaches von 600.