Hersteller

STGP 30 V 60 DF

Infineon IGBTs der Serien STGF und STGP

  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
  • im TO220-Gehäuse
  • PowerMESH™

STGP 30 V 60 DF

106977 STGP 30 V 60 DF STGP30V60DF STGP30V60DF Infineon IGBTs der Serien STGF und STGP. Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode im TO220-Gehäuse PowerMESH™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STGP30V60DF
Gehäuse TO220
Verlustleistung [W] 258
Einschaltverzögerungszeit [ns] 45
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 600
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 120
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 189
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 60
Datenblatt

Stückpreis

1,43 €

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Weitere Lieferung:
KW 28/2025

Mindestbestellmenge
1.000 Stück bzw. ein Vielfaches von 1.000.