Hersteller

STGD 5 NB 120 SZT4

STMicroelectronics SMD IGBTs der Serie STGD

  • Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)
  • in SMD-Bauweise
  • im TO252-Gehäuse
  • gegurtet

STGD 5 NB 120 SZT4

106991 STGD 5 NB 120 SZT4 STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics SMD IGBTs der Serie STGD. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) in SMD-Bauweise im TO252-Gehäuse gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STGD5NB120SZT4
Gehäuse TO252
Ausführung gegurtet
Verlustleistung [W] 75
Einschaltverzögerungszeit [ns] 690
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 12100
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 10
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 10
Datenblatt

Stückpreis

0,871 €

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KW 49/2025

Mindestbestellmenge
2.500 Stück bzw. ein Vielfaches von 2.500.