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Hersteller | STMicroelectronics |
Herstellerbezeichnung | STD10P6F6 |
Gehäuse | TO252 |
Ausführung | gegurtet |
Max. Drain-Source-Spannung [V] | 60 |
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 0,16 |
Einschaltverzögerungszeit [ns] | 64 |
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 10 |
Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 2 |
Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 14 |