Hersteller

STD 10 P 6 F6

STMicroelectronics MOSFETs der Serie STD

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im TO252-Gehäuse
  • SuperMESH™ / MDmesh™ / STripFET™
  • gegurtet

STD 10 P 6 F6

107396 STD 10 P 6 F6 STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics MOSFETs der Serie STD. SMD-Leistungs-MOSFETs im TO252-Gehäuse SuperMESH™ / MDmesh™ / STripFET™ gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STD10P6F6
Gehäuse TO252
Ausführung gegurtet
Max. Drain-Source-Spannung [V] 60
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,16
Einschaltverzögerungszeit [ns] 64
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 10
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 14
Datenblatt

Stückpreis

0,644 €

Lagerbestand: 1510
Weitere Lieferung:
KW 34/2026

Mindestbestellmenge
10 Stück bzw. ein Vielfaches von 10.