112896SCT 3160 KLGC11 SCT3160KLGC11SCT3160KLGC11Rohm SiC-Leistungs-MOSFETs der Serie SCH und SCT.
TO-247 Gehäuse
n-Kanal Typ
Siliziumcarbid (SiC) als Halbleitermaterial
niedriger Einschaltwiderstand
schnelle Schaltgeschwindigkeit
RoHS konform
einfach parallel zu schalten
geringe Rückwärtserholzeit