112890SCT 3022 ALGC11 SCT3022ALGC11SCT3022ALGC11Rohm SiC-Leistungs-MOSFETs der Serie SCH und SCT.
TO-247 Gehäuse
n-Kanal Typ
Siliziumcarbid (SiC) als Halbleitermaterial
niedriger Einschaltwiderstand
schnelle Schaltgeschwindigkeit
RoHS konform
einfach parallel zu schalten
geringe Rückwärtserholzeit