112887SCT 2160 KEC SCT2160KECSCT2160KECRohm SiC-Leistungs-MOSFETs der Serie SCH und SCT.
TO-247 Gehäuse
n-Kanal Typ
Siliziumcarbid (SiC) als Halbleitermaterial
niedriger Einschaltwiderstand
schnelle Schaltgeschwindigkeit
RoHS konform
einfach parallel zu schalten
geringe Rückwärtserholzeit