Hersteller

FQP8N80C

ON Semiconductor MOSFETs der Serien BUZ/FCP/FDP/FQP/RFP

  • ONS Leistungs-MOSFETs
  • im TO220-/TO220AB-Gehäuse
  • SuperFET® / FRFET® / UniFET® / PowerTrench® / QFET® / MegaFET®

FQP8N80C

237334 FQP8N80C FQP8N80C ON Semiconductor MOSFETs der Serien BUZ/FCP/FDP/FQP/RFP. ONS Leistungs-MOSFETs im TO220-/TO220AB-Gehäuse SuperFET® / FRFET® / UniFET® / PowerTrench® / QFET® / MegaFET®

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung FQP8N80C
Gehäuse TO220
Verlustleistung [W] 178
Max. Drain-Source-Spannung [V] 800
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 1,55
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 8
Einschaltverzögerungszeit [ns] 40
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 65

Stückpreis

2,29 €

Lagerbestand: 980
Weitere Lieferung:
KW 52/2025

Mindestbestellmenge
10 Stück bzw. ein Vielfaches von 10.