Hersteller

IXTH 30 N 50 L2

Leistungs-MOSFETs

IXTH 30 N 50 L2

45823 IXTH 30 N 50 L2 IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 Leistungs-MOSFETs.

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IXTH30N50L2
Gehäuse TO247AD
Max. Drain-Source-Spannung [V] 500
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,215
Einschaltverzögerungszeit [ns] 35
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 30
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2,5
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 94
Datenblatt

Stückpreis

28,89 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 22/2025

Mindestbestellmenge
300 Stück bzw. ein Vielfaches von 300.