> Halbleiter>Transistoren>MOSFETs>Infineon SMD-Leistungs-MOSFETs, PQFN-Gehäuse, IRF und IRL Serie>IRLHS 6376 reel

Hersteller

IRLHS 6376 reel

Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL

N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Infineon Serie an: IRFHS8242TRPBF, IRFHS8342TRPBF, IRFHS9301TRPBF, IRFHS9351TRPBF, IRL60HS118, IRLHS2242TRPBF, IRLHS6242TRPBF, IRLHS6276TRPBF und IRLHS6376TRPBF.

  • N-Kanal-MOSFETs
  • Gehäuse: PQFN6
  • Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω
  • Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V
  • Drainstrom: 2,3 bis 10A
IRLHS6376TRPBF, Infineon SMD-Leistungs-MOSFETs, PQFN-Gehäuse, IRF und IRL Serie

IRLHS 6376 reel

244393 IRLHS 6376 reel IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL. N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Infineon Serie an: IRFHS8242TRPBF, IRFHS8342TRPBF, IRFHS9301TRPBF, IRFHS9351TRPBF, IRL60HS118, IRLHS2242TRPBF, IRLHS6242TRPBF, IRLHS6276TRPBF und IRLHS6376TRPBF. N-Kanal-MOSFETs Gehäuse: PQFN6 Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V Drainstrom: 2,3 bis 10A

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRLHS6376TRPBF
Gehäuse PQFN6
Max. Drain-Source-Spannung [V] 30
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,063
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 3,6
Datenblatt

Stückpreis

0,226 €

Lagerbestand: 3950
Weitere Lieferung:
KW 14/2025

Mindestbestellmenge
50 Stück bzw. ein Vielfaches von 50.