> Halbleiter>Transistoren>MOSFETs>Infineon SMD-Leistungs-MOSFETs, PQFN-Gehäuse, IRF und IRL Serie>IRL 60 HS 118

Hersteller

IRL 60 HS 118

Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL

N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Infineon Serie an: IRFHS8242TRPBF, IRFHS8342TRPBF, IRFHS9301TRPBF, IRFHS9351TRPBF, IRL60HS118, IRLHS2242TRPBF, IRLHS6242TRPBF, IRLHS6276TRPBF und IRLHS6376TRPBF.

  • N-Kanal-MOSFETs
  • Gehäuse: PQFN6
  • Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω
  • Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V
  • Drainstrom: 2,3 bis 10A
IRL60HS118, Infineon SMD-Leistungs-MOSFETs, PQFN-Gehäuse, IRF und IRL Serie

IRL 60 HS 118

244389 IRL 60 HS 118 IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL. N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Infineon Serie an: IRFHS8242TRPBF, IRFHS8342TRPBF, IRFHS9301TRPBF, IRFHS9351TRPBF, IRL60HS118, IRLHS2242TRPBF, IRLHS6242TRPBF, IRLHS6276TRPBF und IRLHS6376TRPBF. N-Kanal-MOSFETs Gehäuse: PQFN6 Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V Drainstrom: 2,3 bis 10A

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRL60HS118
Gehäuse PQFN6
Max. Drain-Source-Spannung [V] 60
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,017
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 10
Datenblatt

Stückpreis

0,502 €

Lagerbestand: 3600
Weitere Lieferung:
KW 32/2025

Mindestbestellmenge
50 Stück bzw. ein Vielfaches von 50.