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Hersteller

IRFHS 8342 reel

Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL

N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Infineon Serie an: IRFHS8242TRPBF, IRFHS8342TRPBF, IRFHS9301TRPBF, IRFHS9351TRPBF, IRL60HS118, IRLHS2242TRPBF, IRLHS6242TRPBF, IRLHS6276TRPBF und IRLHS6376TRPBF.

  • N-Kanal-MOSFETs
  • Gehäuse: PQFN6
  • Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω
  • Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V
  • Drainstrom: 2,3 bis 10A
IRFHS8342TRPBF, Infineon SMD-Leistungs-MOSFETs, PQFN-Gehäuse, IRF und IRL Serie

IRFHS 8342 reel

244386 IRFHS 8342 reel IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL. N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Infineon Serie an: IRFHS8242TRPBF, IRFHS8342TRPBF, IRFHS9301TRPBF, IRFHS9351TRPBF, IRL60HS118, IRLHS2242TRPBF, IRLHS6242TRPBF, IRLHS6276TRPBF und IRLHS6376TRPBF. N-Kanal-MOSFETs Gehäuse: PQFN6 Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V Drainstrom: 2,3 bis 10A

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRFHS8342TRPBF
Gehäuse PQFN6
Max. Drain-Source-Spannung [V] 30
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,016
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 8,8
Datenblatt

Stückpreis

0,171 €

Lagerbestand: 3900

Mindestbestellmenge
50 Stück bzw. ein Vielfaches von 50.