Hersteller

IRF 540 N

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

IRF 540 N

20164 IRF 540 N IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF540NPBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 100
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,044
Einschaltverzögerungszeit [ns] 11
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 33
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 39
Datenblatt

Stückpreis

0,494 €

Lagerbestand: 3042
Nächster Wareneingang:
KW 49/2024
4000 Stk.


Weitere Lieferung:
KW 06/2025

Mindestbestellmenge
1 bis 2 Stück bzw. ein Vielfaches von 10 plus 0 bis 2 .