Hersteller

IRF 9 Z 34 N

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

IRF 9 Z 34 N

20141 IRF 9 Z 34 N IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF9Z34NPBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 55
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,1
Einschaltverzögerungszeit [ns] 13
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 19
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 30
Datenblatt

Stückpreis

0,364 €

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Nächster Wareneingang:
KW 06/2025
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