Hersteller

IRG 4 PH 50 S

Infineon IGBTs der Serien STGF und STGP

  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
  • im TO220-Gehäuse
  • PowerMESH™

IRG 4 PH 50 S

20502 IRG 4 PH 50 S IRG4PH50SPBF IRG4PH50SPBF Infineon IGBTs der Serien STGF und STGP. Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode im TO220-Gehäuse PowerMESH™

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRG4PH50SPBF
Gehäuse TO247AC
Verlustleistung [W] 200
Einschaltverzögerungszeit [ns] 32
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 114
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 845
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 57
Datenblatt

Stückpreis

4,49 €

Lagerbestand: 4