Hersteller

IGZ 75 N 65 H5

Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ

  • Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)
  • im TO247-Gehäuse
  • TRENCHSTOP™

IGZ 75 N 65 H5

110921 IGZ 75 N 65 H5 IGZ75N65H5XKSA1 IGZ75N65H5XKSA1 Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) im TO247-Gehäuse TRENCHSTOP™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IGZ75N65H5XKSA1
Gehäuse TO247-4
Verlustleistung [W] 395
Einschaltverzögerungszeit [ns] 29
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 650
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3,2
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 300
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 347
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 119
Datenblatt

Stückpreis

2,39 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 27/2025

Mindestbestellmenge
240 Stück bzw. ein Vielfaches von 240.