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FM 1808 B-SG
• nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
• JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
• Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
• bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
• 1 Billion (1012) Schreib-/Lesezyklen
• 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
• Low Power Operation: 15mA Active Current
• Versorgungsspannung 4,5...5,5V
• Temperaturbereich -40...+85°C
• Hersteller: Cypress
F-RAMs, parallel, 5 Volt
• ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM• nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
• JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
• Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
• bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
• 1 Billion (1012) Schreib-/Lesezyklen
• 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
• Low Power Operation: 15mA Active Current
• Versorgungsspannung 4,5...5,5V
• Temperaturbereich -40...+85°C
• Hersteller: Cypress
FM 1808 B-SG
Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Herstellerbezeichnung | FM1808B-SG |
| Gehäuse | SOL28 |
| Geschwindigkeit | 70ns |
| Organisation | 32kx8 |