nichtflüchtige ferroelektrische Speicherbausteine im SO8 bzw. TDFN8 Gehäuse (FN_-DG)
als Ersatz für serielle SPI-FLash oder SPI-EEPROMs
geeignet für bis zu 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
mit bis zu 38 Jahren Datenerhalt
Hard- und Software-Schutz
Versorgungsspannung: 2 bis 3,6V
Betriebstemperaturbereich: -40 bis +85°C
FM 25V02 A-DG
200627FM 25V02 A-DG FM25V02A-DGFM25V02A-DGCypress FRAMs der Serie FM25.
nichtflüchtige ferroelektrische Speicherbausteine im SO8 bzw. TDFN8 Gehäuse (FN_-DG)
als Ersatz für serielle SPI-FLash oder SPI-EEPROMs
geeignet für bis zu 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
mit bis zu 38 Jahren Datenerhalt
Hard- und Software-Schutz
Versorgungsspannung: 2 bis 3,6V
Betriebstemperaturbereich: -40 bis +85°C