Nonvolatile ferroelektrische Speicherbausteine im SO8-Gehäuse
ersetzen SPI-EEPROMs oder SPI-Flash
mit bis zu 1014 Schreib-/Lesezyklen sowie hoher Zuverlässigkeit (38 Jahre Daten-Erhalt bei +75°C)
Schreibgeschwindigkeit um bis zu 500 mal höher als bei herkömmlichen EEPROMs
Hardware und Software Protection
Versorgungsspannung: 4,5 bis 5,5V
Betriebstemperaturbereich: -40 bis +85°C
FM 25640 B-GTR
200624FM 25640 B-GTR FM25640B-GTRFM25640B-GTRCypress FRAMs der Serie FM25.
Nonvolatile ferroelektrische Speicherbausteine im SO8-Gehäuse
ersetzen SPI-EEPROMs oder SPI-Flash
mit bis zu 1014 Schreib-/Lesezyklen sowie hoher Zuverlässigkeit (38 Jahre Daten-Erhalt bei +75°C)
Schreibgeschwindigkeit um bis zu 500 mal höher als bei herkömmlichen EEPROMs
Hardware und Software Protection
Versorgungsspannung: 4,5 bis 5,5V
Betriebstemperaturbereich: -40 bis +85°C