Hersteller

FM 25640 B-GTR

Cypress FRAMs der Serie FM25

  • Nonvolatile ferroelektrische Speicherbausteine im SO8-Gehäuse
  • ersetzen SPI-EEPROMs oder SPI-Flash
  • mit bis zu 1014 Schreib-/Lesezyklen sowie hoher Zuverlässigkeit (38 Jahre Daten-Erhalt bei +75°C)
  • Schreibgeschwindigkeit um bis zu 500 mal höher als bei herkömmlichen EEPROMs
  • Hardware und Software Protection
  • Versorgungsspannung: 4,5 bis 5,5V
  • Betriebstemperaturbereich: -40 bis +85°C

FM 25640 B-GTR

200624 FM 25640 B-GTR FM25640B-GTR FM25640B-GTR Cypress FRAMs der Serie FM25. Nonvolatile ferroelektrische Speicherbausteine im SO8-Gehäuse ersetzen SPI-EEPROMs oder SPI-Flash mit bis zu 1014 Schreib-/Lesezyklen sowie hoher Zuverlässigkeit (38 Jahre Daten-Erhalt bei +75°C) Schreibgeschwindigkeit um bis zu 500 mal höher als bei herkömmlichen EEPROMs Hardware und Software Protection Versorgungsspannung: 4,5 bis 5,5V Betriebstemperaturbereich: -40 bis +85°C

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung FM25640B-GTR
Gehäuse SO8
Organisation 8kx8
Frequenz [MHz] 20
Datenblatt

Stückpreis

1,12 €

Lagerbestand: 2415
Weitere Lieferung:
KW 02/2025

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.