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* nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
* JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
* Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
* bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
* 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
* 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
* Low Power Operation: 15mA Active Current
* Versorgungsspannung 2,7...5,5V
* Temperaturbereich -40...+85°C
* Hersteller: Cypress
F-RAMs, parallel, 2,7 Volt
* ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM* nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
* JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
* Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
* bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
* 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
* 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
* Low Power Operation: 15mA Active Current
* Versorgungsspannung 2,7...5,5V
* Temperaturbereich -40...+85°C
* Hersteller: Cypress
FM 16W08-SG
Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Herstellerbezeichnung | FM16W08-SG |
| Gehäuse | SOL28 |
| Geschwindigkeit | 70ns |
| Organisation | 8kx8 |