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• ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM
• nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
• JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
• Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
• bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit ...
• ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM
• nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
• JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
• Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
• bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
• 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
• 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
• Low Power Operation: 15mA Active Current
• Versorgungsspannung 2,7...5,5V
• Temperaturbereich -40...+85°C
• Hersteller: Cypress
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