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F-RAMs, parallel, 5 Volt
• ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM
• nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
• JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
• Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
• bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im...
F-RAMs, parallel, 5 Volt
• ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM
• nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
• JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
• Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
• bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
• 1 Billion (1012) Schreib-/Lesezyklen
• 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
• Low Power Operation: 15mA Active Current
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